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描述：太陽(yáng)能電池載流子特性分析系統直接反映了載流子在電場(chǎng)作用下的運動(dòng)能力, 因此載流子遷移率的測量是有機半導體材料與器件研究中的重要內容。我公司推出有機太陽(yáng)能電池OPV、鈣鈦礦太陽(yáng)能電池、OLED器件和其他有機半導體器件載流子遷移率測量系統。
| 品牌 | 其他品牌 | 價(jià)格區間 | 面議 |
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| 產(chǎn)地類(lèi)別 | 進(jìn)口 | 應用領(lǐng)域 | 環(huán)保,化工,生物產(chǎn)業(yè),能源,電子 |
太陽(yáng)能電池載流子特性分析系統
| 詳細說(shuō)明： | |||
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近年來(lái), 有機半導體材料與器件領(lǐng)域的研究和開(kāi)發(fā)取得了日新月異的進(jìn)展，其中有機電致發(fā)光二極管、有機薄膜晶體管、有機太陽(yáng)能電池、有機存儲器、有機傳感器、有機激光器等相關(guān)有機半導體材料與器件的研究取得了大量的研究成果。隨著(zhù)有機半導體材料與器件研究和開(kāi)發(fā)的深入, 有機半導體中載流子的傳輸能力是影響有機半導體器件性能的一個(gè)重要的因素。衡量有機半導體材料載流子傳輸能力的主要參數是載流子遷移率u, 它直接反映了載流子在電場(chǎng)作用下的運動(dòng)能力, 因此載流子遷移率的測量是有機半導體材料與器件研究中的重要內容。 我公司推出有機太陽(yáng)能電池OPV、鈣鈦礦太陽(yáng)能電池、OLED器件和其他有機半導體器件載流子遷移率測量系統。
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太陽(yáng)能電池載流子特性分析系統
? 主要應用：
* 無(wú)機半導體光電器件，有機半導體光電器件；
* 有機太陽(yáng)能電池OPV；
* 鈣鈦礦太陽(yáng)能電池Perovskite Solar Cell，鈣鈦礦LED；
* 無(wú)機太陽(yáng)能電池（例如：?jiǎn)尉Ч?、多晶硅、非晶硅等硅基太?yáng)能電池）；
* 染料敏化太陽(yáng)能電池DSSC；
? 主要測量功能：
* 功率點(diǎn)MPP、FF、Voc、Isc、VS 光強，遷移率（I-V測試 & I-V-L測試，空間電荷限制電流SCLC法）
* 載流子密度，載流子動(dòng)力學(xué)過(guò)程（瞬態(tài)光電流法 TPC）
* 載流子壽命，載流子符合動(dòng)力學(xué)過(guò)程（瞬態(tài)光電壓/瞬態(tài)開(kāi)路電壓法 TPV）
* 載流子遷移率（暗注入瞬態(tài)法 DIT，單載流子器件&OLED）
* 串聯(lián)電阻，幾何電容，RC時(shí)間（電壓脈沖法 Pulse Voltage）
* 參雜密度，電容率，串聯(lián)電阻，載流子遷移率（暗態(tài)線(xiàn)性增加載流子瞬態(tài)法 Dark-CELIV）
* 載流子遷移率，載流子密度（光照線(xiàn)性增加載流子瞬態(tài)法 Photo-CELIV）
* 載流子復合過(guò)程，朗之萬(wàn)函數復合前因子（時(shí)間延遲線(xiàn)性增加載流子瞬態(tài)法 Delaytime-CELIV）
* 不同工作點(diǎn)的載流子強度，載流子遷移率（注入線(xiàn)性增加載流子瞬態(tài)法 Injection-CELIV）
* 幾何電容，電容率（MIS線(xiàn)性增加載流子瞬態(tài)法 MIS-CELIV）
* 陷阱強弱度，等效電路（阻抗譜測試 IS）
* 遷移率，陷阱強弱度，電容，串聯(lián)電阻（電容VS頻率 C-f）
* 內建電壓，參雜濃度，注入勢壘，幾何電容（電容VS電壓 C-V）
* 點(diǎn)亮電壓（電流電壓照度特性 I-V-L）
* 發(fā)光壽命，載流子遷移率（瞬態(tài)電致發(fā)光法 TEL）
-整合了DC，AC and Transient mode
用于太陽(yáng)能電池/OLED器件載流子特性測量與分析，通過(guò)對器件的變光強J-V曲線(xiàn)、瞬態(tài)光電流譜TPC，瞬態(tài)光電壓譜TPV、線(xiàn)性增壓載流子抽取Photo-CELIV、強度調制光電流譜IMPS、強度調制光電壓譜IMVS、阻抗譜IS、電容電壓譜CV、深能級瞬態(tài)譜DLTS等進(jìn)行測量分析，表征器件的載流子遷移率、載流子壽命和濃度、載流子動(dòng)力學(xué)過(guò)程、摻雜和陷阱分布等性能參數，從而對太陽(yáng)能電池/OLED器件和其他有機半導體中的載流子遷移率進(jìn)行有效的分析和測量。
測量參數
• Charge carrier mobility載流子遷移率
• Carrier lifetime載流子壽命
• Recombination efficiency復合效率
• Charge injection barriers電荷注入勢壘
• Geometric capacitance幾何電容
• J-V Curve電流-電壓曲線(xiàn)
• J-V-L 電流-電壓-亮度曲線(xiàn)
• Pmax、FF、Voc、Isc VS光強曲線(xiàn)
• Carrier lifetime載流子壽命
• Trap density陷阱密度
• Trap depth陷阱深度
• Doping density摻雜濃度
• Series resistance串聯(lián)電阻
• Electrical permittivity介電常數
• Built-in voltage內建電場(chǎng)
• Emitter lifetime (OLED)發(fā)射壽命
• 軟件后處理功能：可獲得更豐富的測試數據
測量曲線(xiàn)：
技術(shù)規格
• 采樣率：60MS/s
• 時(shí)間分辨率：16ns
• 頻率范圍：10mHz to 10MHz
• 電流分辨率：＜100pA
• LED上升時(shí)間：100ns
• 電流范圍：100mA
• 電壓范圍：±12V
可選功能
• Solar Cell Version or/and OLED Version
• Multi-LED模塊:360nm~1100nm for EQE
• 變溫測試臺：-120 °C to 150 °C（多種可選）
• 光譜儀：OLED器件發(fā)光光譜測量
• SMU 擴展模塊: 電壓±60V，電流分辨1pA
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