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描述:石墨烯制備系統(CVD)主要用于合成石墨烯薄膜和各種碳納米材料,有一個(gè)水平石英管式爐。一個(gè)催化劑襯底(通常是銅鋁箔)放置在爐里,甲烷氣體或乙炔氣體從外部低流量和低壓地注入,在催化劑的襯托上形成石墨烯薄膜。
品牌 | 其他品牌 | 供貨周期 | 現貨 |
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應用領(lǐng)域 | 環(huán)保,化工,生物產(chǎn)業(yè),能源,電子 |
石墨烯制備系統(CVD)主要用于合成石墨烯薄膜和各種碳納米材料,有一個(gè)水平石英管式爐。一個(gè)催化劑襯底(通常是銅鋁箔)放置在爐里,甲烷氣體或乙炔氣體從外部低流量和低壓地注入,在催化劑的襯托上形成石墨烯薄膜。
快速冷卻對于形成高質(zhì)量的石墨烯薄膜非常重要,快速冷卻可以抑制碳過(guò)量的沉積在催化劑金屬箔上 (如銅或鎳箔);系統配備了快速冷卻系統。管式爐向一側滑動(dòng)30mm到反應爐,加熱的爐可以遠離樣品,從而快速冷卻樣品。通過(guò)非常簡(jiǎn)單的方式達到快速冷卻的效果。
石墨烯制備系統(CVD)
主要特點(diǎn):
1)快速加熱和制冷功能;
2)管式爐滑動(dòng)裝置,可使得樣品快速加熱和冷卻;
3)特殊設計的測溫傳感器,可直接監測樣品溫度;
4)支持生長(cháng)其他各種碳納米材料(碳納米管、碳納米線(xiàn)等);
技術(shù)指標:
1)石英管尺寸:OD50×ID46×L1200mm
2)加熱區尺寸:φ50×L260mm
3)操作溫度:up to 1200 ℃
4)正常使用溫度范圍:400-1100 ℃
5)程序化PID溫度控制
6)三路氣體源MFC控制 (hydrocarbon, H2, Ar)
7)旋轉真空泵,抽速20L/min
8)熱電偶實(shí)時(shí)監測樣品溫度
9)快速加熱和制冷系統
10)手動(dòng)管式爐滑動(dòng)系統,滑動(dòng)距離300mm
11)設備尺寸:W1400×H1000×D500mm
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