原子層沉積系統是一項沉積薄膜的重要技術(shù)，具有廣泛的應用。ALD原子層沉積可以滿(mǎn)足精確膜厚控制以及高深寬比結構的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠超過(guò)其它沉積技術(shù)。由于前驅體流量的隨意性不會(huì )帶來(lái)影響，所以在A(yíng)LD原子層沉積中有序、自限制的表面反應將會(huì )帶來(lái)非統計的沉積。這使得ALD原子層沉積膜保持高度的光滑、連續以及無(wú)孔的特性，可以提供優(yōu)異的薄膜性能。ALD原子層工藝也可以實(shí)現到大基片上。 原子層沉積系統特點(diǎn)：是一款獨立的PC計算機控制的ALD，帶Labview軟件，具備四級密碼控制的用戶(hù)授權保護功能。系統為全自動(dòng)的安全互鎖設計，并提供了強大的靈活性，可以用于沉積多種薄膜（如：AL2O3, AlN, TiN, ZrO2, LaO2, HfO2,等等）。應用領(lǐng)域包含半導體、光伏、MEMS等。系統提供12”的鋁質(zhì)反應腔體，帶有加熱腔壁和氣動(dòng)升降頂蓋，非常方便腔體的訪(fǎng)問(wèn)和清潔。該系統擁有一個(gè)載氣艙包含多達7個(gè)50ml的加熱汽缸，用于前驅體以及反應物，同時(shí)帶有N2或者Ar作為運載氣體的快脈沖加熱傳輸閥。
選配：系統的選配項包含自動(dòng)L/UL上下載(用于6”基片)，ICP離子源(用于等離子增強的PEALD)，臭氧發(fā)生器，等等。
應用：
Oxides氧化物: Al203, HfO2, La2O3, SiO2, TiO ZnO, In2O3，etc
Nitrides氮化物: AlN, TiN, TaN, etc..
Photovoltaic and MEMS applications光伏及MEMS應用.
Nano laminates納米復合材料
隨著(zhù)原子層沉積技術(shù)與其他先進(jìn)技術(shù)不斷融合以及人們對原子層沉積設備的不斷改進(jìn)，諸如“等離子體增強原子層沉積技術(shù)”、“空間式原子層沉積技術(shù)”、“流化床原子層沉積技術(shù)”等新型原子層沉積技術(shù)逐漸出現并在一定程度上有效解決了傳統熱原子層沉積技術(shù)所面臨的諸多難題。
在過(guò)去二十多年，等離子體增強原子層沉積技術(shù)發(fā)展迅速。通過(guò)巧妙設計等離子體引入方式，人們已經(jīng)設計出各種等離子體增強原子層沉積設備。
從文獻報道來(lái)看，針對太陽(yáng)能光伏領(lǐng)域的應用，一套成熟的空間式原子層沉積設備需保證每小時(shí)超過(guò)3000片156×156mm2規格Si片的生產(chǎn)能力。由于空間式原子層沉積設備中沉積速率不再受限于單個(gè)循環(huán)步驟的累計時(shí)間，僅取決于襯底或前驅體噴嘴在兩個(gè)半反應區間移動(dòng)所需的時(shí)間，而薄膜厚度也僅取決于噴頭上所集成的沉積單元數量，若能保證1s通過(guò)一個(gè)這樣規格的Si片，目前的設計*可以滿(mǎn)足工業(yè)化應用需求。此外，針對柔性襯底表面沉積時(shí)，采用轉動(dòng)式的反應器設計，同樣能將沉積速率提升至1.2nm/s。
原子層沉積技術(shù)經(jīng)過(guò)四十多年的發(fā)展，無(wú)論是在沉積材料的種類(lèi)還是具體沉積方法的擴展與改進(jìn)上，都已經(jīng)取得了長(cháng)足進(jìn)步，在眾多領(lǐng)域更是展現出令人期待的商業(yè)前景。但傳統的熱原子層沉積技術(shù)在發(fā)展過(guò)程中仍面臨著(zhù)一些挑戰。
