原位薄膜應力測試儀的主要特點(diǎn)及測試功能
更新時(shí)間：2021-09-23 點(diǎn)擊量：1359
原位薄膜應力測試儀的主要特點(diǎn)：
1、MOS 多光束傳感器技術(shù)。
2、單Port(樣品正上方)和雙Port(對稱(chēng)窗口)系統設計。
3、適合MOCVD, MBE, Sputter，PLD、蒸収系統等各種真空薄膜沉積系統以及熱處理設備等。
4、薄膜應力各向異性測試和分析功能。
5、生長(cháng)速率和薄膜厚度測量。（選件）
6、光學(xué)常數n&k 測量。（選件）
7、多基片測量功能。（選件）
8、基片旋轉追蹤測量功能。（選件）
9、實(shí)時(shí)光學(xué)反饋控制技術(shù)，系統安裝時(shí)可設置多個(gè)測試點(diǎn)。
10、專(zhuān)業(yè)設計免除了測量丌受真空系統振動(dòng)影響。
原位薄膜應力測試儀的測試功能：
1、實(shí)時(shí)原位薄膜應力測量。
2、實(shí)時(shí)原位薄膜曲率測量。
3、實(shí)時(shí)原位應力*薄膜厚度曲線(xiàn)測量。
4、實(shí)時(shí)原位薄膜生長(cháng)全過(guò)程應力監控等。
