薄膜生長(cháng)速率測試儀的特點(diǎn)有哪些？
更新時(shí)間：2021-10-14 點(diǎn)擊量：922
薄膜生長(cháng)速率測試儀采用無(wú)損的激光技術(shù)實(shí)時(shí)原位檢測薄膜沉積速率、薄膜厚度以及光學(xué)常量（n&k），可廣泛的應用于金屬有機化學(xué)氣象沉積MOCVD、分子束外延MBE、濺射系統Sputtering和蒸發(fā)系統等薄膜沉積過(guò)程的實(shí)時(shí)原位監控。
薄膜生長(cháng)速率測試儀的特點(diǎn)：
1、實(shí)時(shí)薄膜沉積速率、薄膜厚度和光學(xué)常數（n&k）分析，同時(shí)標準偏差統計分析
2、自動(dòng)程序化校準
3、精密的實(shí)時(shí)反饋系統
4、程序控制，可實(shí)時(shí)多層薄膜沉積監控和控制
5、多Wafer監控功能
6、Wafer基底旋轉監控和控制功能
7、所有參量原位實(shí)時(shí)檢測
8、操作裝配簡(jiǎn)單便捷
