瞬態(tài)光電流（TPC）

在瞬態(tài)光電流（TPC）測試中，測量恒定偏置電壓（也可設置為0V）下光伏器件由于光脈沖而產(chǎn)生的瞬態(tài)電流響應過(guò)程。電流上升和衰減揭示了電荷載流子遷移率、陷阱和摻雜的信息。TPC通常在不同的偏置電壓、偏置光或光脈沖強度下進(jìn)行測試。對于有機太陽(yáng)能電池，瞬態(tài)光電流上升時(shí)間通常在1~100μs之間；在鈣鈦礦太陽(yáng)能電池中，電流上升則從微秒級開(kāi)始，可能需要幾秒鐘才能達到穩態(tài)。

圖1. 典型 瞬態(tài)光電流TPC測試曲線(xiàn)

分析參數：電子和空穴遷移率 陷阱俘獲動(dòng)力學(xué)

Christopher McNeill及其同事觀(guān)察到聚合物太陽(yáng)能電池中的光電流過(guò)沖，并借助漂移擴散模擬陷阱對電荷的俘獲和釋放來(lái)解釋這個(gè)過(guò)程。如果電荷俘獲足夠慢，空間電荷效應會(huì )導致電流過(guò)沖。隨著(zhù)越來(lái)越多的電荷被俘獲，它們會(huì )干擾內建電場(chǎng)并阻礙電荷傳輸。然而，快速捕獲會(huì )導致電流上升變慢。在某些情況下，電流過(guò)沖僅在負偏置電壓下發(fā)生。

圖2

電流衰減可以用與DLTS中相同的方式描述。使用圖2. 可以計算出來(lái)自離散能級的陷阱發(fā)射電流(trap emission currents)。使用圖3. 計算指數DOS尾部的陷阱發(fā)射(trap emission)。Street通過(guò)分析TPC瞬態(tài)光電流衰減計算了PCDTBT：PCBM和P3HT：PCBM太陽(yáng)能電池帶尾態(tài)密度。

圖3

圖4. 顯示了光脈沖持續時(shí)間為15 μs的TPC模擬。對于以下情況，電流上升的形狀基本不會(huì )改變："提取勢壘"（a），"non-aligned contact接觸"（a），"高Langevin復合"（b），"低并聯(lián)電阻"（d）和"低電荷產(chǎn)生"（e）。較小的電荷載流子遷移率顯然會(huì )導致較慢的上升和衰減，如圖4（b）所示。淺陷阱填充緩慢（俘獲和再發(fā)射），將導致較慢到達平衡態(tài)電流（c）。光照關(guān)閉后，陷阱發(fā)射將導致緩慢的指數型電流衰減。深陷阱的情況將導致電流過(guò)沖（c），這與McNeill的分析一致，由于陷阱填充而導致在較長(cháng)時(shí)間尺度上電流減小，引發(fā)空間電荷。如果TPC測試加偏置光，則電流過(guò)沖和長(cháng)衰現象消失，因為偏置光使陷阱填滿(mǎn)；在我們的模擬中，這種效應在偏置光強度為脈沖強度的0.1%時(shí)可以看到。如圖4（d）所示，高串聯(lián)電阻還可能導致較慢的電流上升和衰減。"高摻雜密度"的情況顯示，空間電荷效應將引起稍長(cháng)的電流上升和衰減。

與CELIV相比，沒(méi)有簡(jiǎn)單的公式可以從TPC數據中提取電荷載流子遷移率。然而，TPC是一種強大的技術(shù)，可以研究電荷傳輸，識別捕獲，并使用數值建模提取參數。

以上所有測試數據來(lái)自設備：Paios

以上所有模擬仿真使用軟件：Setfos