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          技術(shù)文獻:基于異質(zhì)Ir(III)的高輻射容量近紅外有機發(fā)光二極管

           更新時(shí)間:2023-03-08 點(diǎn)擊量:542

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          主要內容
          含有重金屬的近紅外有機發(fā)光二極管(NIR OLEDs)因其應用優(yōu)勢而常被報道。但對于商業(yè)應用,由于其功耗的原因,有必要從輻射容量(RC)的角度來(lái)探索器件性能。


          研究人員開(kāi)發(fā)了一種基于Ir(III)的新型異質(zhì)近紅外材料,用于近紅外有機發(fā)光二極管(NIR OLEDs)。這些材料具有高度定向的水平偶極比和短輻射壽命。在NIR OLEDs中,這些器件提供極低的導通電壓和高輻射容量,使其適用于各種應用。這項研究表明,在類(lèi)似的基于Ir(III)的近紅外OLEDs中,它具有優(yōu)異的器件性能,這使其成為一種有前途的商業(yè)應用材料。


          發(fā)射層沉積在50nm厚的玻璃襯底上。其中使用我公司代理的Phelos角度分辨電致發(fā)光/光致發(fā)光測量系統收集了全角度相關(guān)p偏振PL光譜。
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          產(chǎn)品推薦-Phelos角度分辨電致發(fā)光/光致發(fā)光測量系統

          Phelos用于測量OLED、鈣鈦礦LED及其他發(fā)光器件的發(fā)射光譜特性和極化角,同時(shí)也可測量器件的s和p偏振光譜、發(fā)射光譜與角度的關(guān)系,計算出發(fā)射層中激子的發(fā)光角度及位置分布。


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          文獻信息

          Heteroleptic Ir(III)-based near-infrared organic light-emitting diodes with high radiance capacity

          Yongjin Park, Gyeong Seok Lee, Woochan Lee, Seunghyup Yoo, Yun-Hi Kim & Kyung-Cheol Choi


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