主要內容

量子技術(shù)的進(jìn)步來(lái)自于發(fā)現提高電子器件性能和功能的新材料系統。碲化鉛（PbTe）是IV–VI材料家族的一員，擁有可探索的未知潛力。由于其高電子遷移率、強自旋軌道耦合和超高介電常數，它可以容納少量電子量子點(diǎn)和彈道量子線(xiàn)，并有機會(huì )控制電子自旋和其他量子自由度。

在這篇文章中，研究團隊報道了如何通過(guò)分子束外延制備PbTe納米線(xiàn)。實(shí)現了適用于量子器件的無(wú)缺陷單晶PbTe，具有高達50的縱橫比。此外，通過(guò)制造單個(gè)納米線(xiàn)場(chǎng)效應晶體管實(shí)現了雙極傳輸，提取帶隙并觀(guān)察電導的Fabry–P′erot振蕩及準彈道傳輸的特征。

其中由巨力光電代理的 kSA BandiT實(shí)時(shí)襯底溫度測試儀 在研究過(guò)程中提供測量實(shí)時(shí)溫度

產(chǎn)品推薦

1. kSA BandiT實(shí)時(shí)襯底溫度測試儀 是一種非接觸、實(shí)時(shí)測量半導體襯底表面溫度的測試系統，采用半導體材料吸收邊隨溫度的變化的原理，實(shí)時(shí)測量晶片/襯底的溫度。

2. kSA ACE 原位MBE束流監測系統 是一種高靈敏度的在線(xiàn)原位原子束流監測設備，它利用原子吸收光譜的原理來(lái)測量對應原子種類(lèi)的通量率。該設備可實(shí)時(shí)原位檢測原子束流密度、生長(cháng)速率，實(shí)現對薄膜成分精確控制。

文獻信息

Growth of PbTe nanowires by molecular beam epitaxy

Sander G Schellingerhout, Eline J de Jong, Maksim Gomanko, Xin Guan, Yifan Jiang, Max S M Hoskam, Jason Jung, Sebastian Koelling, Oussama Moutanabbir, Marcel A Verheijen, Sergey M Frolov and Erik P A M Bakkers